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非易失性MRAM讀寫(xiě)操作
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性，適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0 0456平方微米，讀取速度為10
2020-07-01
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意法半導(dǎo)體STM32單片機(jī)特性
MCU經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，性能也得到了很大的提升。因?yàn)镸CU必須順序執(zhí)行程序，所以適于做控制，較多地應(yīng)用于工業(yè)。由ST廠商推出的STM32系列單片機(jī)
2020-06-30
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非易失性存儲(chǔ)器MRAM的兩大優(yōu)點(diǎn)
新式存儲(chǔ)器技術(shù)隊(duì)伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技術(shù)、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵突破，正邁向大規(guī)模量產(chǎn)的路上，眼前我們正處于見(jiàn)證存儲(chǔ)器歷
2020-06-29
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自動(dòng)化控制器專用非易失性MRAM MR4A16BMA35
Everspin了解工業(yè)市場(chǎng)客戶的獨(dú)特需求，自動(dòng)化控制器在長(zhǎng)期惡劣的工業(yè)環(huán)境中，諸如長(zhǎng)期數(shù)據(jù)保留和極端溫度支持之類的功能非常重要。通過(guò)避免
2020-06-28
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汽車導(dǎo)航系統(tǒng)應(yīng)用富士通FRAM鐵電存儲(chǔ)器MB85R2001
MB85R2001是一種富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存儲(chǔ)單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)創(chuàng)建。能夠保留數(shù)據(jù)
2020-06-24
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靜態(tài)SDRAM和動(dòng)態(tài)SDRAM的區(qū)別
SDRAM有一個(gè)同步接口，在響應(yīng)控制輸入前會(huì)等待一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，這樣就能和計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)總線同步。時(shí)鐘被用來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)有限狀態(tài)機(jī)，對(duì)進(jìn)入的指
2020-06-23
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