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2019年Nand存儲器市場跌幅最大
存儲器市場在2019年占半導體銷售額的26 7%,收入同比下降了31 5%。 在內存領域的DRAM收入下降了37 5%,這是由于從2018年底開始一直持續(xù)
2020-03-11
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疫情下DDR3芯片現(xiàn)貨市場行情
春節(jié)前的存儲價格一路高漲,各大存儲廠的庫存壓力逐漸縮小,而市場上的現(xiàn)貨庫存有限導致了許多終端提前備貨。在2月開工的存儲產業(yè)的需求也
2020-03-09
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非易失性MRAM磁性隧道結技術
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用1晶體管–1磁性隧道結(1T-1MTJ)架構,其中鐵磁材料的磁性狀態(tài)作為數據存儲元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)
2020-03-05
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ST-MRAM磁隧道結寫入方式
自旋轉移矩依靠電流實現(xiàn)磁化翻轉,寫入電流密度大概在106~107A cm2之間,而且寫入電流的大小可隨工藝尺寸的縮小而減小,克服了傳統(tǒng)磁場寫入方式的缺點,因而被廣泛認為是實現(xiàn)磁隧道結的純
2020-03-03
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基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設計
基于SMIC 28nm工藝節(jié)點仿真結果顯示,新型10T單元結構在電源電壓為1 05V時,和傳統(tǒng)6T單元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同時,在單元讀寫操作時,錯誤率較低。
2020-02-28
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新型非易失性MRAM優(yōu)勢
MRAM(磁性存儲器)是一種非易失性存儲器。MRAM技術速度接近靜態(tài)隨機存儲的高速讀取寫入能力,具有閃存的非易失性,容量密度及使用壽命不輸
2020-02-26
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