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MR1A16A非易失性MRAM比FM28V202A鐵電存儲(chǔ)器提供更快的時(shí)序
Everspin MRAM MR1A16A和賽普拉斯FM28V202A使用類似于標(biāo)準(zhǔn)SRAM的地址,數(shù)據(jù)和控制信號(hào)。然而Everspin MR1A16A允許以35 ns的速度進(jìn)行更
2021-05-20
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小家電產(chǎn)業(yè)訂單爆滿,卻深受缺芯困擾停產(chǎn)
2020年下半年開始爆發(fā)的全球芯片短缺潮正愈演愈烈,并從手機(jī)、汽車產(chǎn)業(yè)蔓延至小家電產(chǎn)業(yè)。根據(jù)高盛的一項(xiàng)最新研究報(bào)告顯示,目前全球已有16
2021-05-18
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“MCU+”或是國(guó)產(chǎn)MCU彎道超車的機(jī)會(huì)
電子產(chǎn)品的數(shù)量在不斷攀升,形態(tài)也在不斷進(jìn)化,尤其近些年物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的興起與普及,產(chǎn)品智能化已成為大勢(shì)所趨,而這波缺貨潮會(huì)加快這一趨勢(shì)
2021-05-14
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兆易創(chuàng)新:NOR Flash已經(jīng)全面導(dǎo)入55nm工藝,產(chǎn)能穩(wěn)步提升
TWS耳機(jī)、機(jī)頂盒、筆記本、平板、汽車儀表盤、5G基站、AMoled顯示屏、路由器、醫(yī)療電子設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 這一長(zhǎng)串設(shè)備都需要一個(gè)關(guān)鍵的
2021-05-12
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鐵電存儲(chǔ)器FRAM的優(yōu)劣勢(shì)
FRAM憑借高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面的優(yōu)勢(shì),被視為替代傳統(tǒng)EEPROM和FLASH的產(chǎn)品。FRAM產(chǎn)品的主要廠商包括英飛凌、日本
2021-05-10
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醫(yī)療刺激裝置如何使用外部存儲(chǔ)器來(lái)支持高級(jí)功能
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,消費(fèi)類、便攜式醫(yī)療設(shè)備的功能越來(lái)越強(qiáng)大,越來(lái)越完善,極大地提高了準(zhǔn)確性、可靠性、連接性和易用性,同時(shí)保證了用戶
2021-05-07
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