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SRAM電路工作原理
近年來(lái),片上存儲(chǔ)器發(fā)展迅速,根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS),隨著超深亞微米制造工藝的成熟和納米工藝的發(fā)展,晶體管特征尺寸進(jìn)一步縮
2020-05-28
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SRAM市場(chǎng)動(dòng)向
當(dāng)今世界環(huán)境保護(hù)已蔚然成風(fēng),力求節(jié)約能源,因此強(qiáng)烈要求電子系統(tǒng)低功耗化和低電壓化。而且由于制造SRAM的半導(dǎo)體工藝精細(xì)化,SRAM要求低電
2020-05-25
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FRAM鐵電存儲(chǔ)器在汽車(chē)應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)
相比于其他市場(chǎng),汽車(chē)市場(chǎng)更為關(guān)注技術(shù)成熟度。目前FRAM在汽車(chē)行業(yè)的銷(xiāo)售數(shù)量已超過(guò)8億臺(tái),技術(shù)已相當(dāng)成熟,汽車(chē)行業(yè)的客戶(hù)完全可以對(duì)此放
2020-05-21
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如何減小SRAM讀寫(xiě)操作時(shí)的串?dāng)_
靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。在SRAM 存儲(chǔ)陣列的設(shè)計(jì)中,經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)串?dāng)_問(wèn)題發(fā)生。那么要如何減小
2020-05-19
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SRAM中的功耗來(lái)源
在CMOS電路中,功耗的來(lái)源主要有兩個(gè)方面(1)靜態(tài)功耗,即反向漏電流造成的功耗;(2)動(dòng)態(tài)功耗,由電路作開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)進(jìn)入過(guò)渡區(qū)由峰值電流
2020-05-15
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帶有ECC的256Kx16高速異步SRAM
ISSIIS61WV25616EDALL是高速,低功耗4M位靜態(tài)RAM,組織為256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造,并實(shí)現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性。當(dāng)
2020-05-13
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