SRAM（靜態(tài)RAM）是隨機(jī)存取內(nèi)存的一種。「靜態(tài)」的意思是指，只要保持通電，SRAM中的數(shù)據(jù)就能持續(xù)保存。然而，一旦電力供應(yīng)停止，數(shù)據(jù)將會(huì)消失，因此屬于揮發(fā)性內(nèi)存（Volatile Memory）。這點(diǎn)不同于斷電后仍能保存數(shù)據(jù)的只讀內(nèi)存（ROM）或閃存（Flash Memory）。
 
    SRAM的電路結(jié)構(gòu)根據(jù)晶體管數(shù)量可分為多種設(shè)計(jì)，如4T、6T、8T或12T等，其中6T是最常見的設(shè)計(jì)。6T SRAM的「T」代表晶體管（Transistor），而「6T」指的是該單元由6個(gè)MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管組成。
 
    6T SRAM的基本電路由2個(gè)PMOS和4個(gè)NMOS晶體管構(gòu)成。根據(jù)功能，不同的晶體管又可劃分為PU（上拉晶體管）、PD（下拉晶體管）、PG（傳送門晶體管）等組件，這種設(shè)計(jì)使得SRAM成為AI芯片中重要的內(nèi)存組件，具有高速、高效的存取特性。


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