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新型存儲器與傳統(tǒng)存儲器介質(zhì)特性對比

來源:宇芯有限公司 日期:2020-04-23 10:07:22

目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM),其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器ReRAM,目前暫無商用產(chǎn)品,其代表公司是美國的Crossbar。
 
上述新型存儲器已被研究了近數(shù)十年,只是相對于早已產(chǎn)業(yè)化的隨機(jī)存儲sram、DRAM存儲器、和NAND Flash,還未能大規(guī)模商用。存儲器產(chǎn)業(yè)未來的技術(shù)發(fā)展方向仍是未知數(shù)。
 
在非易失性MRAM存儲器方面,Everspin MRAM已經(jīng)有產(chǎn)品應(yīng)用于航空航天等特定領(lǐng)域,并于2019年開始與格芯合作,試生產(chǎn)28nm制程的1Gb STT-MRAM產(chǎn)品。ReRAM存儲器仍然尚未商用,初創(chuàng)公司如Crossbar則正致力于其產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程。
 
當(dāng)前的新型存儲器尚不具備替代DRAM芯片或Nand閃存的能力,市場主要集中于低延遲存儲與持久內(nèi)存。分別比較3種存儲的介質(zhì)特性如下表所示。
 
 
表 新型存儲及傳統(tǒng)存儲特性對比
 
MRAM具有最好的讀寫速率和使用壽命,從理論上有機(jī)會替代現(xiàn)在的內(nèi)存芯片和外存,但是由于涉及量子隧穿效應(yīng),大規(guī)模制造難以保證均一性,存儲容量和良率爬坡緩慢。在工藝取得進(jìn)一步突破之前,宇芯電子代理的Everspin MRAM芯片的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域。


Everspin STT-MRAM  1Gb
Density Org. Part Number Speed Temp Rating Package Pack/Ship
1Gb -- EMD4E001G08G2-150CAS2 667MHz Commercial 78-BGA Tray
1Gb -- EMD4E001G08G2-150CAS2R 667MHz Commercial 78-BGA Tape & Reel
1Gb -- EMD4E001G16G2-150CAS2 667MHz Commercial 96-BGA Tray
1Gb -- EMD4E001G16G2-150CAS2R 667MHz Commercial 96-BGA Tape & Reel
1Gb 128Mb x8 EMD4E001G08G1-150CAS1 667MHz Commercial 78-BGA Tray
1Gb 128Mb x8 EMD4E001G08G1-150CAS1 667MHz Commercial 78-BGA Tape & Reel
1Gb 64Mb x16 EMD4E001G16G2-150CAS1 667MHz Commercial 96-BGA Tray
1Gb 64Mb x16 EMD4E001G16G2-150CAS1R 667MHz Commercial 96-BGA Tape & Reel

 
 
 關(guān)鍵詞:新型存儲器MRAM  MRAM  
 
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