隨著使鐵電存儲器FRAM的非揮發(fā)性，利用晶體的偏振提供了許多優(yōu)于基于電荷的存儲技術的優(yōu)點（見表1）。因為它避免了浮柵技術的潛在的降解效果，F(xiàn)RAM存儲器和其保存數(shù)據(jù)的功率損耗的面能力的壽命幾乎是無限的。例如FRAM存儲器設備，如富士通半導體MB85R1001A和ROHM半導體MR48V256A所有指定10年的數(shù)據(jù)保持性能。下列表格是各類存儲器的比較。
 

	FRAM	EEPROM	FLASH	SRAM
Memory Type	Non-volatile	Non-volatile	Non-volatile	Volatile
Write Method	Overwrite	Erase + Write	Erase + Write	Overwrite
Write Cycle Time	150 ns	5 ms	10 μs	55 ns
Read/Write Cycles	1013	106	105	Unlimited
Booster Circuit	No	Yes	Yes	No
Data Backup Battery	No	No	No	Yes

 
鐵電RAM存儲由鐵電材料鋯鈦酸鉛的偏振的裝置，或PZT（Pb（上ZrTi）O 3），它被置于兩個電極類似的電容器的結構之間的膜。與DRAM中，在FRAM中陣列的每一位被讀出和單獨寫入，但在DRAM的使用的晶體管和電容器來存儲比特，F(xiàn)RAM采用在晶體結構中的偶極移引起的施加電場的相應位跨電極（圖1）。因為該偏振仍然是去掉電場之后，F(xiàn)RAM數(shù)據(jù)仍然存在無限期即使沒有可用功率 - 用于設計搭載不確定環(huán)境來源的重要能力。
 
富士通半導體FRAM細胞電場的圖像
 
圖1：在FRAM細胞，數(shù)據(jù)存儲為偏振引起的施加電場橫跨PZT膜的狀態(tài) - 一種方法，使擴展的數(shù)據(jù)保留，并消除在浮柵技術中遇到的磨損。
 
通過省去了在浮柵存儲器技術所需電荷泵，F(xiàn)RAM可以在3.3V或更低的典型電源范圍內工作。與存儲電荷的存儲器設備，F(xiàn)RAM裝置具有耐α粒子和通常表現(xiàn)出軟錯誤率（SER）檢測極限以下。
 
 
關鍵詞：鐵電RAM