并行MRAM是大多數(shù)手機(jī)、移動(dòng)設(shè)備、膝上機(jī)、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術(shù)的特性上來(lái)看，可以預(yù)計(jì)它將能解決包括計(jì)算機(jī)或手機(jī)啟動(dòng)慢、數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)裝載緩慢、電池壽命短等問(wèn)題，明顯改變消費(fèi)者使用電子沒(méi)備的方式。
 
研華PCM-23系列內(nèi)存模塊是用于mPCIe接口的工業(yè)級(jí)內(nèi)存模塊，能夠通過(guò)具有不同功能的iDoor技術(shù)通過(guò)連接器擴(kuò)展對(duì)內(nèi)存的訪問(wèn)。
 
PCM-23內(nèi)存模塊是可選的擴(kuò)展內(nèi)存，用于在事件日志中存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)。斷電時(shí)，關(guān)鍵數(shù)據(jù)必須是非易失性的。為了滿足非易失性存儲(chǔ)器的需求，研華選擇了Everspin MR4A16B 16Mb MRAM存儲(chǔ)器，因?yàn)樗峁┝?MB的非易失性，可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，并具有20年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。全部沒(méi)有電池或外部電容器。

 
Everspin MR4A16B由1,048,576字 x 16位構(gòu)成。Everspin MR4A16B 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期，并擁有出色耐久性對(duì)于這款并行MRAM來(lái)說(shuō)，數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。everspin代理商宇芯電子支持技術(shù)指導(dǎo)及產(chǎn)品解決方案。


Everspin 并口MRAM MR4A16B系列

型號(hào)	容量	位寬	封裝	電壓	溫度	MOQ(pcs) /Tray	MOQ(pcs) /T&R
MR4A16BCMA35	4Mb	1Mx16	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃	480	2500
MR4A16BMA35	4Mb	1Mx16	48-BGA	3.3V	0℃to +70℃	480	2500
MR4A16BCYS35	4Mb	1Mx16	54-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃	216	1000
MR4A16BYS35	4Mb	1Mx16	54-TSOP	3.3V	0℃to +70℃	216	1000

關(guān)鍵詞：   MRAM   MR4A16B