Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢德勒，主要是設(shè)計(jì)和制造MRAM、STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Everspin所生產(chǎn)的MRAM產(chǎn)品包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)，在節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。其產(chǎn)品包裝和測(cè)試業(yè)務(wù)遍及中國，臺(tái)灣和其他亞洲國家。
 
那Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的？Everspin代理下面將解析關(guān)于MRAM內(nèi)存技術(shù)工作原理。
  
 
Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成
 
Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲(chǔ)元件。每個(gè)存儲(chǔ)元件都將一個(gè)磁性隧道結(jié)（MTJ）器件用于存儲(chǔ)單元。
   
磁性隧道結(jié)存儲(chǔ)元件
 
磁性隧道結(jié)（MTJ）存儲(chǔ)元件由固定磁性層，薄介電隧道勢(shì)壘和自由磁性層組成。當(dāng)對(duì)MTJ施加偏壓時(shí)，被磁性層自旋極化的電子將通過稱為隧穿的過程穿過介質(zhì)阻擋層。
 
當(dāng)自由層的磁矩平行于固定層時(shí)，MTJ器件具有低電阻，而當(dāng)自由層磁矩與固定層矩反平行時(shí)，MTJ器件具有高電阻。電阻隨設(shè)備磁性狀態(tài)的變化是一種被稱為磁阻的效應(yīng)，因此被稱為“磁阻” RAM。
 
Everspin MRAM技術(shù)可靠
 
與大多數(shù)其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)不同，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為磁性狀態(tài)而不是電荷，并通過測(cè)量電阻來感測(cè)而不干擾磁性狀態(tài)。使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲(chǔ)有兩個(gè)主要好處。首先，磁極化不會(huì)像電荷一樣隨時(shí)間流逝而消失，因此即使關(guān)閉電源，信息也會(huì)被存儲(chǔ)。其次，在兩種狀態(tài)之間切換磁極化不涉及電子或原子的實(shí)際運(yùn)動(dòng)，因此不存在已知的磨損機(jī)制。

 
Everspin MRAM特點(diǎn)
•消除備用電池和電容器
•非易失性工作存儲(chǔ)器
•實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)收集和備份
•AEC-Q100合格選件
•停電時(shí)保留數(shù)據(jù)
•延長(zhǎng)系統(tǒng)壽命和可靠性


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