非易失性存儲器在高級節(jié)點上變得越來越復(fù)雜，在高級節(jié)點上的價格和速度，功率和利用率正在成為一些非常特定于應(yīng)用程序的折衷，以決定該存儲器的放置位置。
 
NVM可以嵌入到芯片中，也可以使用各種類型的互連技術(shù)將其移出芯片。但是這個決定比它最初看起來要復(fù)雜得多。它取決于過程節(jié)點和電壓，NVM的類型以及其中存儲的內(nèi)容以及整個芯片或系統(tǒng)的預(yù)算。
 
性能最高的處理器使用的工藝幾何尺寸最小，這反過來將對NVM提出最高要求。NVM面臨的一些挑戰(zhàn)是在較小的幾何尺寸上擴展容量的相對困難，以及需要實施更高的電壓來對單元進行編程。在更精細的工藝幾何尺寸下，可能需要更多的裸片面積來支持額外的處理核心所需的容量，并且可能需要額外的制造成本來支持更高的電壓。
 
這已成為在較小幾何尺寸的功率/性能改進與可以經(jīng)濟高效地嵌入多少內(nèi)存之間的一種平衡方法。
 
在非易失性存儲器中，當(dāng)降至40nm以下時，嵌入它的成本將變得非常高，因此可能最終會在內(nèi)部使用更多的SRAM，但隨后將NVM委托給外部設(shè)備。但是這樣做時，挑戰(zhàn)就變成了具有足夠的帶寬性能以能夠以省電的方式執(zhí)行。
 
一些MCU公司正在轉(zhuǎn)向外部存儲器而不是內(nèi)部存儲器，并使用性能更高的八進制NVM來做到這一點。
 
這樣做的優(yōu)點之一是簡單。因此，裸NAND設(shè)備正趨向于固態(tài)驅(qū)動器和存儲卡，對需要直接與裸NAND接口的設(shè)備（不包括存儲控制器）的要求越來越少。
 
隨著SPI（串行外設(shè)接口）總線上設(shè)備的多樣性增加，以及高速SPI接口（特別是四路SPI，八路SPI，xSPI）的泛濫，它已經(jīng)成為一種非常有趣的總線，除了啟動并直接執(zhí)行之外公交車。這種方法在恩智浦不具有片上嵌入式存儲器的微控制器系列中很明顯。
 
 
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