PSRAM是一種存儲(chǔ)技術(shù)，它通過DRAM單元來實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)并降低每存儲(chǔ)位成本。PSRAM帶有異步SRAM外部接口，可實(shí)現(xiàn)高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。COSMORAM協(xié)議包括關(guān)于猝發(fā)模式PSRAM用戶接口的通用規(guī)范以及封裝PSRAM的堆迭式多芯片封裝(MCP)。猝發(fā)模式功能增強(qiáng)了PSRAM操作性能,使其成為昂貴的異步低功耗﹑低電壓SRAM的理想替代品。目前SRAM在手機(jī)及PDA等其它移動(dòng)設(shè)備中應(yīng)用廣泛。
 
PSRAM與傳統(tǒng)的六晶體管(6T)SRAM單元性能相當(dāng),但卻有著標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM無法比擬的絕對成本優(yōu)勢。此外,PSRAM還可提供極高的存儲(chǔ)密度,如32Mbit和64Mbit，可滿足手機(jī)廠商手機(jī)擴(kuò)展功能的需要。
 
由于目睹PSRAM非常適于手機(jī)應(yīng)用，其它公司也聯(lián)合起來共同發(fā)展這-技術(shù)、賽普拉斯(Cypress)半導(dǎo)體公司.英飛凌(Infineon)科技公司及美光(Micron)科技公司三家公司簽署合作協(xié)議，共同開發(fā)CellularRAM存儲(chǔ)器規(guī)范.CellularRAM是一種新的多代(multi-generation)低功耗PSRAM技術(shù),專用于無線手機(jī)。
 
除了從增長市場獲利外，這些公司積極開發(fā)PSRAM技術(shù)的另一原因是為了防止手機(jī)廠商采用其它存儲(chǔ)器技術(shù)來取代SRAM，如低延時(shí)的DRAM和快速循環(huán)隨機(jī)存儲(chǔ)器(FCRAM)。
 
 
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