根據(jù)集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM存儲(chǔ)芯片價(jià)格已正式進(jìn)入上漲周期，第二季受到終端產(chǎn)品需求持續(xù)暢旺以及資料中心需求回升的帶動(dòng)，買方急欲提高DRAM芯片庫(kù)存水位。因此DRAM均價(jià)歷經(jīng)第一季約3~8%的上漲后，預(yù)估第二季合約價(jià)漲幅將大幅上揚(yáng)13~18%。
 
其中第二季PC DRAM合約價(jià)上漲相對(duì)明顯，漲幅為13~18%；Server DRAM第二季將迎來采購(gòu)高峰，估價(jià)格季增近20%；預(yù)期心理刺激買方擴(kuò)大采購(gòu)，Mobile DRAM價(jià)格將持續(xù)走揚(yáng)；虛擬貨幣帶動(dòng)顯卡需求所致，Graphics DRAM價(jià)格季增10-15%；consumer DRAM呈現(xiàn)罕見的重大缺貨潮，部分顆粒第二季合約價(jià)將有單季逼近20%的漲幅。
 
Nand Flash方面，第二季NAND Flash供應(yīng)端在三星（Samsung）、長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）、SK海力士（SK Hynix）與英特爾（Intel）的帶領(lǐng)下，仍維持積極的擴(kuò)張態(tài)勢(shì)，預(yù)估位元產(chǎn)出季增長(zhǎng)可達(dá)近10%；需求端則是受惠自第一季以來持續(xù)有PC OEM、中國(guó)手機(jī)品牌廠的訂單支撐，以及自第二季起資料中心客戶將恢復(fù)采購(gòu)動(dòng)能的支撐。然而目前NAND Flash控制器供給吃緊的問題仍存，進(jìn)而刺激買方積極備貨。
 
預(yù)期第二季NAND Flash價(jià)格將自第一季小幅下跌5~10%，轉(zhuǎn)為上漲3~8%。而目前三星位于美國(guó)德州奧斯汀的工廠尚未完全復(fù)工，對(duì)接下來的控制器供給產(chǎn)生更大隱憂，將使得三星在client SSD的供貨能力進(jìn)一步受限。因此，不排除合約價(jià)上漲幅度有超過目前預(yù)測(cè)的可能。存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子支持提供樣品測(cè)試及技術(shù)支持。


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