FRAM是一種非易失性存儲器產品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點，富士通新推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存儲芯片，這是富士通FRAM產品系列中第一款保證100萬億讀/寫周期的產品。與富士通的傳統(tǒng)產品相比，新產品實現(xiàn)了高速運行、約30%的訪問速度和低功耗、10%的工作電流。該存儲器IC是需要高速運行的工業(yè)機器中SRAM的理想替代品。
 
此款新并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億次，運行速度與SRAM相同，TSOP封裝與SRAM兼容。FRAM的低功耗的獨特特性。非常適合工業(yè)機器，同時實現(xiàn)高速運行和低功耗。
 
MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內運行。它是富士通FRAM產品系列中第一款保證100萬億讀/寫循環(huán)時間的產品。
 
在某些情況下，新的8Mbit FRAM為客戶帶來了無需使用SRAM所需的數(shù)據備份電池的好處。富士通的FRAM產品可以解決以下問題，將SRAM替換為非易失性存儲器。（圖4）
 
問題：更改接口設計和PCB設計的額外工作
解決方案：使用與SRAM接口和SRAM封裝兼容的FRAM
問題：難以用寫入速度非常慢的非易失性存儲器替代
解決方案：使用具有快速寫入操作的FRAM，頁面模式下最大25ns
問題：寫入壽命高達10萬億次導致設計限制
解決方案：使用寫入壽命高達100萬億次的FRAM