有兩種方法可以增加應(yīng)用程序的RAM。
 
1、使用更大的微控制器(MCU)：如果必須購買更大、更昂貴的MCU以獲得更多RAM，則此選項(xiàng)的吸引力較小。
 
2、使用外部并行RAM：但并行RAM使用大型封裝，通常需要至少16-20個(gè)I/O
 
下面介紹一款可用于外擴(kuò)的SRAM芯片EMI7512NTMI
 
國產(chǎn)SRAM芯片廠家偉凌創(chuàng)芯EMI7512NTMI該器件是一款存儲(chǔ)器大小為512Kbi的Serial SRAM，它在內(nèi)部組織為64K字，每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘頻率20MHz，提供高速性能和低功耗。
 
EMI7512NTMI器件電源電壓范圍為2.7V~3.6V，工作電流最大2mA@1MHz，待機(jī)電流最大15µA@25℃，可在-40℃至+85℃（工業(yè)級(jí)）的溫度范圍內(nèi)工作，并采用節(jié)省空間的8-TSSOP標(biāo)準(zhǔn)封裝封裝。
 
串行SRAM提供了在設(shè)計(jì)中添加RAM的靈活性，而沒有大型MCU或并行RAM的缺點(diǎn)，并使用簡(jiǎn)單的4針SPI接口。這些器件還通過SDI和SQI接口提供了更高的性能，可將數(shù)據(jù)速率提高多達(dá)4倍。