MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。MRAM具備高速讀寫、低功耗、高密度、耐擦寫、寬溫區(qū)和抗輻照等優(yōu)勢。
  
  非易失性隨機存取存儲器
  •像SRAM一樣工作: 高速、高續(xù)航、單字節(jié)訪問
  •像ROM/Flash一樣存儲:不易揮發(fā)，保存時間長
 
  MRAM優(yōu)勢
  •無需超級電容器
  -節(jié)省板面積，減少組件
  •快速通電
  -快速系統(tǒng)恢復
 

	nvSRAM	Winner	STT-MRAM
Write Speed*	25ns~45ns	←	35ns~300ns
Super-Capacitor Requirement	YES	→	NO
Recover time	600μs	→	Instant

 
 
  醫(yī)療系統(tǒng)示例



本文關鍵詞：STT-MRAM,MRAM,nvSRAM

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