目前世界上現(xiàn)有的存儲技術(shù)有兩種，一種是以內(nèi)存為代表的易失性存儲，速度很快，但斷電后數(shù)據(jù)就丟失了，無法保存；另一種是以U盤為代表的非易失性存儲，斷電后依然能夠保存數(shù)據(jù)，但缺點就是讀寫速度慢。近期復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的團(tuán)隊則研發(fā)出了第三種存儲技術(shù)，不但能保證超高的讀寫速度，又能保證斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。