時(shí)代仍快速的變遷著，市場(chǎng)也出現(xiàn)了新的變化，但對(duì)于存儲(chǔ)器片上的SRAM仍是主流。實(shí)力不可小覷，其價(jià)格昂貴且密度有限，但其高速性能多年來已被驗(yàn)證。片上存儲(chǔ)器的挑戰(zhàn)是采用分布還是共用的方式，在某些情況下為保證安全性需要增加冗余。所有這些要求都會(huì)影響存儲(chǔ)器的類型和數(shù)量的選擇，還涉及片上和片外存儲(chǔ)器之間的權(quán)衡，以及訪問每個(gè)存儲(chǔ)器互連的復(fù)雜性。
 
當(dāng)前的存儲(chǔ)器芯片能夠正常運(yùn)作，但是它們正在努力跟上系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和帶寬需求的激增。這彰顯了下一代存儲(chǔ)器的用武之地。新型存儲(chǔ)器結(jié)合了SRAM的速度和 Flash 的非易失性和良好的耐久性。這些技術(shù)擁有出色的規(guī)格，但它們要么遲遲未出現(xiàn)，要么效能不盡人意。
 
所有這些都是以安全為前提，并且不同的市場(chǎng)設(shè)計(jì)的要求也不一樣。比如汽車中的各種類型的圖像傳感器（如激光雷達(dá)和攝像頭）的大量數(shù)據(jù)需要在本地處理，AI 芯片則希望性能能夠提升100 倍。解決內(nèi)存問題有一些方法，其中一種是片上存儲(chǔ)器，也就是將存儲(chǔ)器分散地集成在運(yùn)算單元旁，最大程度減少數(shù)據(jù)搬移，這種方法的目標(biāo)是通過減少負(fù)載和存儲(chǔ)的數(shù)量來突破內(nèi)存瓶頸，也能降低功耗。
 
以下產(chǎn)品為低功耗SRAM存儲(chǔ)芯片，屬于靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片，產(chǎn)品的容量范圍為1/4/8/16Mb，常用容量為8Mb，電壓范圍在1.8V/3.3V/5V.，部分器件有寬電壓的電壓范圍，速度在44/55/75ns，大部分產(chǎn)品在選擇速度時(shí)一般以55ns為主。我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價(jià)比高且實(shí)用的產(chǎn)品。可兼容替換ISSI/CYPRESS/Lyontek/Renesas等品牌同類別SRAM產(chǎn)品。

型號(hào)	位寬	容量	溫度	電壓(V)	速度(ns)	C/S Option	封裝	包裝
VTI516NB16	1M x 16	16Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA	Tray
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2	Tray
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	48BGA	Tray
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	48BGA	Tray
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	44TSOP2	Tray
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA	Tray
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2	Tray

 
 關(guān)鍵詞：SRAM