Everspin的MRAM技術具高可靠性、快速讀/寫、即時開啟、非揮發(fā)性、和無限次擦除等特性。Everspin的產品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選封裝、容量從256Kb到16Mb的8位和16位并行I/O產品，以及采用DFN封裝、容量從256Kb到1Mb的串行I/O產品。
 
MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無限制的讀/寫循環(huán)。在每次寫入后，資料能持續(xù)保存超過20年。與其它存儲器不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產生的軟錯誤率(SER, soft error rate)。這款16Mb MRAM由位寬為16的1,048,576個字組成。引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR4A16B目標應用為工業(yè)自動化、機器人、網絡和數(shù)據(jù)儲存、多功能打印機、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設計的系統(tǒng)。
 
 
MR4A16B提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產品和其它非揮發(fā)RAM產品兼容。16Mb MRAM系列包括商業(yè)級(0℃至+70℃)和工業(yè)級(-40℃至+85℃)兩種溫度范圍。


Everspin MRAM  MR4A16B系列

型號	容量	位寬	封裝	電壓	溫度	MOQ(pcs) /T&R
MR4A16BCMA35	4Mb	1Mx16	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃	2500
MR4A16BMA35	4Mb	1Mx16	48-BGA	3.3V	0℃to +70℃	2500
MR4A16BCYS35	4Mb	1Mx16	54-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃	1000
MR4A16BYS35	4Mb	1Mx16	54-TSOP	3.3V	0℃to +70℃	1000

 
 
 關鍵詞：MRAM   Everspin MRAM