SRAM為數(shù)據(jù)訪問(wèn)和存儲(chǔ)提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時(shí)，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。
     
NVSRAM中的電池對(duì)于數(shù)據(jù)保存來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。電池的不良接觸會(huì)極大地影響電池壽命。其他因素，如震動(dòng)、濕度以及內(nèi)置的電池切換電路都會(huì)縮短電池的使用壽命，同時(shí)也會(huì)影響系統(tǒng)的整體可靠性。這些問(wèn)題帶來(lái)的最直接的后果是∶終端客戶更換電池的時(shí)間間隔更短了，例如每年就需要更換一次，而不是5~10年一次。
 
NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而且在封裝技術(shù)方面也很有競(jìng)爭(zhēng)力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)合。
 
 
關(guān)鍵詞：NV-SRAM