供不應求狀態(tài)延續(xù)，2月specialty DRAM主流容量月均價漲近7%
 
由于目前三大原廠產(chǎn)能吃緊，DRAM市場仍處供不應求情況，整體市況已正式進入上漲周期，原廠看準機會大幅調(diào)升specialty DRAM月報價，帶動部分顆粒單月價格漲幅逼近雙位數(shù)；其中以越小容量、越利基的產(chǎn)品漲幅最大。以2月合約價來看，DDR2及DDR3的漲幅仍高；DDR4則受到DDR3的追價而持續(xù)上揚，目前在specialty DRAM中仍屬最大宗應用的DDR3 4Gb，其顆粒均價單月漲幅約6.8%。
 
長期由臺廠主導的DDR3 SDRAM 2Gb嚴重缺貨的情況持續(xù)，有價無量已成該產(chǎn)品常態(tài)，而追價者成為造成市場高低價價差擴大的主因，本月均價漲幅近9%。DDR4 4Gb受到DDR3 4Gb的上揚所迫，三星（Samsung）本月價格明顯拉升，促使低價及均價成長約6%；DDR4 8Gb則隨著主流server與PC走勢而上，漲幅約4%。必須說明的是，此為因應月合約所做的價格調(diào)整，以反應當下市場狀況，但若細究部分tier-one客戶采取季度合約議價（quarterly lock-in deal）者，其整季價格則不受此月價格影響。
 
三大原廠DDR3產(chǎn)出仍緩步下滑，臺廠彈性調(diào)配產(chǎn)能求獲利最大化
 
在目前specialty DRAM市況火熱的情況下，DDR3的獲利水平逐漸高過DDR4及邏輯IC產(chǎn)品，也帶動供應商的策略開始有所調(diào)整。韓廠方面，三星（Samsung）規(guī)劃將Line 13持續(xù)轉(zhuǎn)換至CMOS Image Sensor的長期策略不變，然受到近期價格強勁上漲影響，其稍有縮減原先規(guī)劃的產(chǎn)能進度。SK海力士（SK Hynix）亦采相同策略，舊廠M10于去年底調(diào)降產(chǎn)能后，2021年基本上都維持在相似水位。隨著最先進的1Z及1 alpha nm良率有所拉升，美光（Micron）將逐步增加先進制程投片比重，因此部分20nm及更成熟的制程礙于臺灣廠區(qū)空間有限，未來會慢慢挪往位于美國的Fab 6。三大原廠的DDR3產(chǎn)出仍持續(xù)下滑，然下滑速度較原先預期趨緩。
 
臺廠方面，南亞科（Nanya Tech）目前已將部分20及30nm的DDR4投片轉(zhuǎn)換回DDR3；華邦（Winbond）近年重心皆在Flash業(yè)務，DRAM產(chǎn)能在高雄路竹廠完工前都將受到限制，因此該公司選擇重點支持DDR2及DDR3 1/2Gb小容量產(chǎn)品，也因華邦在該領域擁有相對更高的市占率，掌握更多定價優(yōu)勢。力積電（PSMC）先前主要鎖定在邏輯IC代工，但隨著DDR3代工價顯著上揚，將轉(zhuǎn)移部份產(chǎn)能至DRAM。整體而言，未來三大臺廠都將依據(jù)毛利高低于各產(chǎn)品間彈性調(diào)配產(chǎn)能。即便所有供應商加以因應，此波specialty DRAM供不應求的態(tài)勢至少延續(xù)至今年上半年，后續(xù)價格漲幅將視各原廠產(chǎn)能調(diào)整狀況而定。
 
 
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