Everspin是專業(yè)研發(fā)非易發(fā)性存儲(chǔ)芯片MRAM的半導(dǎo)體公司，世界領(lǐng)先的分立和嵌入式MRAM開發(fā)商和制造商，Everspin產(chǎn)品線主要包括串口MRAM，并口MRAM，DDR3/4 STT-MRAM等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化、游戲、能源管理、通訊、運(yùn)輸領(lǐng)域。
 
Everspin一款串口MRAM存儲(chǔ)芯片MR25H256CDC，這款串行SPI MRAM允許對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行隨機(jī)讀寫操作，而且沒有寫入延遲。這款MR25H256CDC非常適合于必須通過(guò)一小部分I/O引腳快速存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用。
 
MR25H256CDC這款器件，不僅在讀寫耐久性方面表現(xiàn)出色，而且還與擁有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時(shí)序，并且沒有寫入延遲。典型的應(yīng)用包括計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)及服務(wù)器、工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人、電能管理、交通系統(tǒng)。
 
MR25H256CDC特征
•無(wú)寫入延遲
•無(wú)限寫入耐久性
•數(shù)據(jù)保留超過(guò)20年
•斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
•塊寫保護(hù)
•快速、簡(jiǎn)單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達(dá)40兆赫茲
•2.7~3.6V電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)和汽車1級(jí)和3級(jí)溫度
•提供8-DFN兼容封裝。
•直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM
•工業(yè)級(jí)和AEC-Q1001級(jí)和3級(jí)選項(xiàng)
•濕度敏感度MSL-3
 
Everspin型號(hào)MR25H256CDC是一種串行MRAM，其存儲(chǔ)器陣列邏輯組織為32Kx8，使用串行外圍接口的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時(shí)鐘(SCK)四個(gè)引腳接口(SPI)總線。串行MRAM實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲(chǔ)器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫入速度、無(wú)限的耐用性、低待機(jī)和操作功率以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。

關(guān)鍵詞：MR25H256CDC  串行MRAM

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