MRAM能否使歐盟回到存儲器競爭的隊(duì)伍?
來源: 日期:2022-01-12 14:08:01
存儲器在電子系統(tǒng)中無處不在,而且用途廣泛:從存儲數(shù)據(jù)到緩存、緩沖,以及最近開發(fā)出的(存內(nèi))計(jì)算。存儲器的種類非常多:從發(fā)熱的快速易失性片上SRAM緩存,到低溫的慢速高能耗非易失性存儲閃存,再到多層片外
DRAM緩沖器和工作存儲模塊。
然而過去數(shù)十年里有太多的技術(shù)承諾還沒有實(shí)現(xiàn),人們卻又開始挑戰(zhàn)更新的存儲器技術(shù),似乎已準(zhǔn)備好躋身最高級別的存儲器競爭中。微控制器中使用的嵌入式
MRAM模塊和數(shù)據(jù)存儲芯片中的獨(dú)立XPoint存儲器模塊現(xiàn)如今都屬于最前沿的技術(shù),但只有時(shí)間才能證明哪些技術(shù)和應(yīng)用會成功,哪些只不過是白忙活。
二十多年來,MRAM的倡導(dǎo)者一直相信,如果有一種能夠在存儲器的各層上使用的先進(jìn)技術(shù),就可以建立一個(gè)更好的(存儲)世界。這項(xiàng)技術(shù)的開發(fā)者像是在豪賭,在經(jīng)歷了許多曲折和公關(guān)活動之后,業(yè)界似乎終于開始進(jìn)行產(chǎn)品研發(fā)了。
STT MRAM這種產(chǎn)品現(xiàn)已成為業(yè)界公認(rèn)的嵌入式存儲器選擇方案,取代了作為先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的嵌入式閃存。與獨(dú)立存儲器所需的尖端技術(shù)相比,具有先進(jìn)特征尺寸的嵌入式存儲器更容易進(jìn)入市場,所有的龍頭代工廠現(xiàn)在都加入到STT潮流中。盡管實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)還需假以時(shí)日,但MRAM成為主流已不再是“能否”,而是“何時(shí)”。
關(guān)鍵詞: MRAM,STT-MRAM
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