低功耗靜態(tài)存儲器（LOW POWER SRAM）低功耗SRAM芯片作為靜態(tài)隨機存儲器的一種類別；
特征為功耗低，速度快，一般容量在1/4/8/1616Mbit：
屬于易失性存儲芯片，掉電后數(shù)據(jù)會產(chǎn)生丟失：
主要應用于內(nèi)置電池，并對功耗非常敏感的產(chǎn)品，如POS機，手持設備等：
低功耗靜態(tài)存儲器（LOW POWER SRAM）
Renesas 瑞薩電子通過完整的半導體解決方案提供值得信賴的嵌入式設計創(chuàng)新,使數(shù)十億連接的智能設備能夠增強人們的安全和安全生活方式,以下產(chǎn)品為低功耗SRAM芯片，屬于靜態(tài)隨機存儲器芯片，產(chǎn)品的容量范圍為1/4/8/16Mb，常用容量為8Mb，電壓范圍在1.8V/3.3V/5V.，部分器件有寬電壓的電壓范圍，速度在44/55/75ns，產(chǎn)品在選擇速度時一般以55ns為主。我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實用的產(chǎn)品。| 型號 | 容量 | 位寬 | 封裝 | 存取時間 | 電壓(V) | 操作溫度 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R1LP0108ESN-7SI | 1Mb | x 8 | SOP(32) | 70 | 4.5 to 5.5 | -40°C to 85°C | 聯(lián)系我們 |
| R1LP0108ESF-7SR | 1Mb | x 8 | TSOP(32) | 70 | 4.5 to 5.5 | 0°C to 70°C | 聯(lián)系我們 |
| R1LP0108ESF-5SR | 1Mb | x 8 | TSOP(32) | 55 | 4.5 to 5.5 | 0°C to 70°C | 聯(lián)系我們 |
| R1LP0108ESF-7SI | 1Mb | x 8 | TSOP(32) | 70 | 4.5 to 5.5 | -40°C to 85°C | 聯(lián)系我們 |
| R1LP0108ESA-7SR | 1Mb | x 8 | sTSOP(32) | 70 | 4.5 to 5.5 | 0°C to 70°C | 聯(lián)系我們 |
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| R1LP0108ESA-7SI | 1Mb | x 8 | sTSOP(32) | 70 | 4.5 to 5.5 | -40°C to 85°C | 聯(lián)系我們 |
| R1LV0108ESF-5SR | 1Mb | x 8 | TSOP(32) | 55 | 2.7 to 3.6 | 0°C to 70°C | 聯(lián)系我們 |
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| RMLV0816BGBG-4S2 | 8Mb | x 16 | TSOP(44) | 45 | 2.7 to 3.6 | -40℃ to 85℃ | 聯(lián)系我們 |
| RMLV0416EGSB-4S2 | 8Mb | x 16 | TSOP(44) | 45 | 2.7 to 3.6 | -40℃ to 85℃ | 聯(lián)系我們 |
| R1WV6416RSA-7SI | 64Mb | x 8 / x 16 | TSOP(48) | 70 | 2.7 to 3.6 | -40°C to 85°C | 聯(lián)系我們 |
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