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幾種非易失性存儲器的比較
SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲提供了一個快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源(如電池)供電時,他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的
2020-10-21
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非易失性MRAM及其單元結(jié)構
MRAM的優(yōu)異性能使它能較快取代目前廣泛采用的DRAM內(nèi)存及EEPROM閃存,作為新一代計算機的內(nèi)存。MRAM目前是新一代計算機內(nèi)存的最佳候選者,但
2020-10-19
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鐵電RAM與串行SRAM替換時需要考慮的因素
FRAM與SRAM互相代替時,需要提及一些細微之處。本篇文章介紹這些細微差別,并重點介紹可以采取的緩解措施。當采取這些預防措施時,重要的是要了解所使用的FRAM版本。
2020-10-15
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疫情之下,加速國產(chǎn)MCU替代
目前國產(chǎn)MCU正在逐步實現(xiàn)中低端領域的進口替代,相對于以往基本都是國外品牌的現(xiàn)象,如今包括在消費電子、工業(yè)控制等應用市場已出現(xiàn)了不少國產(chǎn)MCU身影。
2020-10-13
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選擇MRAM最佳測試算法
嵌入式內(nèi)存測試和修復的挑戰(zhàn)是眾所周知的,包括最大程度地擴大故障覆蓋范圍以防止測試失敗以及使用備用元件來最大程度地提高制造良率。隨著
2020-10-10
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FRAM低功耗設計使寫非易失性數(shù)據(jù)操作消耗更少的功耗
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1 3,而FRAM的待機 睡眠電流規(guī)格與EEPROM的待機 睡眠電流規(guī)格差不多。有功電流中的差異對功耗產(chǎn)生巨
2020-09-30
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