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國產(chǎn)SRAM芯片

XRAM是一款基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）
專利技術而成的新型X型隨機存儲器，可用于替換傳統(tǒng)DRAM和SRAM，
相對比DRAM產(chǎn)品在數(shù)據(jù)讀取速率約快10倍以上，
延時速度10ns,可提供千兆級容量存儲，
可隨時訪問速度不需要刷新機制，在性能上接近于SRAM產(chǎn)品，
并提供SRAM接口便于應用設計。

XM6A系列產(chǎn)品采用DRAM接口并結(jié)合獨有的XRAM免刷新專利技術，支持DDR3高速帶寬,提供10ns級別的讀寫延遲速度,完全不需要DRAM的刷新機制，與SRAM接口應用類似，并提供BGA144和BGA96兩種封裝，容量從144Mb到36Mb，工作電壓范圍在1.5~1.8V,可滿足各種高速度、低延時、高可靠性的應用。我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實用的產(chǎn)品。

容量	型號	位寬(bit)	電壓	接口	速度(MHz)	封裝	Status	PDF
144Mb	XM8A04M36V18A	X36	1.5/1.8V	Common I/O	400/533/600	BGA96/144	2Q19	聯(lián)系我們
144Mb	XM8A08M18V18A	X18	1.5/1.8V	Common I/O	400/533/600	BGA96/144	2Q19	聯(lián)系我們
72Mb	XM6A02M36V18A	X36	1.5/1.8V	Common I/O	400/533/600	BGA96/144	2Q19	聯(lián)系我們
72Mb	XM8A04M18V18A	X18	1.5/1.8V	Common I/O	400/533/600	BGA96/144	2Q19	聯(lián)系我們
36Mb	XM6A01M36V18A	X36	1.5/1.8V	Common I/O	400/533/600	BGA96/144	2Q19	聯(lián)系我們
36Mb	XM8A02M18V18A	X18	1.5/1.8V	Common I/O	400/533/600	BGA96/144	2Q19	聯(lián)系我們

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