外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM（SRAM）。外部SRAM存儲(chǔ)器也有很多種類。對(duì)于外部SRAM的選擇是由應(yīng)用需求的性質(zhì)決定的。使用外部SRAM芯片存儲(chǔ)器兼具優(yōu)缺點(diǎn)。
 
優(yōu)點(diǎn)
 
外部SRAM存儲(chǔ)器提供比片內(nèi)存儲(chǔ)器更大的存儲(chǔ)容量，速度也相當(dāng)快，但是略差于片內(nèi)存儲(chǔ)器。常用的外部SRAM的容量可達(dá)128KB至10MB。特殊的SRAM可以具有更小或更大的容量。SRAM芯片一般情況下是具有很低的反應(yīng)時(shí)間和高吞吐量的設(shè)備，由于是通過(guò)共享的雙向總線連接到FPGA上，外部SRAM的速度比片上存儲(chǔ)器稍低。SRAM芯片的接口很簡(jiǎn)單，這使得將SRAM連接到FPGA成為一項(xiàng)簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)工作。你還可以使用多個(gè)外部SRAM共享總線，甚至使用不同種類外部存儲(chǔ)器，比如閃存或SDRAM。
 
缺點(diǎn)
 
在基于FPGA的嵌入系統(tǒng)中使用外部SRAM的主要缺點(diǎn)就是成本高以及占用板上空間。SRAM設(shè)備要比其它高容量的存儲(chǔ)器諸如SDRAM，每MB的平均售價(jià)更昂貴。而且sram芯片也比SDRAM和“零空間”的FPGA片內(nèi)存儲(chǔ)器平均每MB占用更多的板上空間。

關(guān)鍵詞：SRAM,外部SRAM