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串行存儲器芯片（Serial SRAM）

串行Serial SRAM為了滿足更小管腳的設(shè)計跟更小PCB板尺寸而衍生出來的一款存儲器;
存儲器在高速性能并非最重要因素的其它存儲器（DRAM、閃存等）中，串行接口已經(jīng)取代了并行接口;
在SRAM市場中一直處于小眾地位，在空間非常有限的特定應(yīng)用中，它們一直是低功耗、小尺寸替代方案;

VTI科技公司主要以低功耗SRAM芯片產(chǎn)品為主，,以下產(chǎn)品為串行Serial SRAM存儲芯片，屬于靜態(tài)隨機存儲器芯片，產(chǎn)品的容量范圍為128Kbit/256Kbit/512Kbit/32/64Mb，最大容量為64Mb，電壓范圍在1.8V/3V/3.3V.，封裝為8-SOIC TSSOP-8，速度在20/130Mhz，我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實用的產(chǎn)品。

型號	容量	位寬	電壓(V)	速度(MHz)	接口	溫度	封裝	包裝	狀態(tài)	PDF
VTI7064LSM	64Mbit	8M x 8	1.8	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7064LSM	64Mbit	8M x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7064MSM	64Mbit	8M x 8	3	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7064MSM	64Mbit	8M x 8	3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7032LSM	32Mbit	4M x 8	1.8	133	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7032LSM	32Mbit	4M x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7016LSM	16Mbit	2M x 8	1.8	133	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7016LSM	16Mbit	2M x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7001NSM	1Mbit	128K x 8	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7001LSM	1Mbit	128K x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7512NSM	512Kbit	64K x 8	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7512LSM	512Kbit	64K x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7256NSM	256Kbit	32K x 8	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7256LSM	256Kbit	32K x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7128LSM	128Kbit	16K x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI7128NSM	128Kbit	16K x 8	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	聯(lián)系我們

備注：如需了解更多關(guān)于產(chǎn)品資訊，請聯(lián)系我們 0755-2372 3970，我們竭誠為您服務(wù)。

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