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串行存儲器芯片（Serial SRAM）

串行Serial SRAM為了滿足更小管腳的設(shè)計跟更小PCB板尺寸而衍生出來的一款存儲器;
存儲器在高速性能并非最重要因素的其它存儲器（DRAM、閃存等）中，串行接口已經(jīng)取代了并行接口;
在SRAM市場中一直處于小眾地位，在空間非常有限的特定應(yīng)用中，它們一直是低功耗、小尺寸替代方案;

Microchip Technology Inc.是全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商，以下產(chǎn)品為串行Serial SRAM存儲芯片，屬于靜態(tài)隨機(jī)存儲器芯片，產(chǎn)品的容量范圍為128Kbit/256Kbit/512Kbit/32/64Mb，最大容量為64Mb，電壓范圍在1.8V/3V/3.3V.，封裝為8-SOIC TSSOP-8，速度在20/130Mhz，我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實(shí)用的產(chǎn)品。

型號	容量	電壓(V)	速度(MHz)	溫度范圍	封裝	PDF
23A1024	1Mb	1.7 - 2.2V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP	聯(lián)系我們
23LC1024	1Mb	2.5 - 5.5V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP	聯(lián)系我們
23A512	512Kb	1.7 - 2.2V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP	聯(lián)系我們
23LC512	512Kb	2.5 - 5.5V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP	聯(lián)系我們
23A256	256Kb	1.7-1.95V	16	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP	聯(lián)系我們
23K256	256Kb	2.7-3.6V	20	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP	聯(lián)系我們
23A640	64Kb	1.7-1.95V	16	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP	聯(lián)系我們
23K640	64Kb	2.7-3.6V	20	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP	聯(lián)系我們

備注：如需了解更多關(guān)于產(chǎn)品資訊，請聯(lián)系我們 0755-2372 3970，我們竭誠為您服務(wù)。

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